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LP 低轮廓 电解铜箔产品示意图

Low Profile Copper Foil · 低轮廓铜箔

LP 低轮廓 电解铜箔

表面粗糙度首次降至 3–4μm 级别的过渡型高速铜箔。等轴细晶结构,是进入高速电路领域的经济型优选方案。

·产品特点

  • Rz 3–4 μm 表面粗糙度
  • 等轴细晶 晶粒形态
  • Df ≤ 0.01 介质损耗
  • ≤ 25 Gbps 适用速率
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粗糙度演进路线

Surface Roughness Evolution · 粗糙度演进路线

STD
标准铜箔
Rz 7–8μm
HTE
高温高延伸
Rz 7–8μm
RTF
反转处理
Rz 4–6μm
LP
低轮廓
Rz 3–4μm
VLP
甚低轮廓
Rz ≤2μm
HVLP
极低轮廓
Rz ≤1.5μm

Product Introduction · 产品介绍

产品介绍

LP(Low Profile)即低轮廓铜箔,是介于标准铜箔(STD)与甚低轮廓铜箔(VLP)之间的过渡型产品。它的标志性特征是表面粗糙度降至 3–4μm 级别——约为 STD 铜箔的一半。

LP 铜箔的结晶结构发生了质的改变:不再是传统电解铜箔的柱状晶体,而是细腻的等轴细晶(晶粒尺寸 < 2μm),呈片层状结晶且棱线平坦。这种微观结构的变革带来了多项性能跃升:信号传输损耗明显降低、蚀刻后无铜粉转移残留、表面电阻和绝缘电阻特性更优。

对于信号速率在 10–25 Gbps 区间的高速数字电路(如千兆以太网交换机、工控设备主板、中端服务器),LP 是兼顾性能与成本的最佳平衡点。它不需要 VLP/HVLP 级别的昂贵制程,却已经能将 Df 从 STD 的 0.015–0.020 降低到 0.0065–0.01 的 Low Loss 等级。

核心工艺特点

  • 表面粗糙度 Rz:3–4 μm,约为 STD 铜箔的一半
  • 晶粒形态:等轴细晶结构,非柱状晶体,晶粒尺寸 < 2μm
  • 典型 Df 值:0.0065 – 0.01(Low Loss 损耗等级)
  • 铜粉转移:蚀刻后无残留,表面电阻和绝缘电阻更优
  • 热稳定性:多次层压后无铜再结晶问题

LP 表面轮廓特征

STD 柱状晶 Rz 7–8μm
STD 柱状晶
粗糙度高,损耗大
LP 等轴细晶 Rz 3–4μm
LP 等轴细晶
平滑均匀,损耗降低

Specifications · 可供规格

可供规格与参数

多厚度规格覆盖从消费电子到工业控制的全场景需求。

型号 标称厚度 单位面积质量 表面粗糙度 Rz 抗剥离强度 典型应用
LP-12E 12 μm ~107 g/m² 3–4 μm ≥ 0.9 kg/cm 薄型高速板、HDI 外层
LP-18E 18 μm ~161 g/m² 3–4 μm ≥ 1.0 kg/cm 高速数字多层板(主力规格)
LP-35E 35 μm ~305 g/m² 3–4 μm ≥ 1.0 kg/cm 中端服务器主板、工控设备
LP-70E 70 μm ~610 g/m² 3–4 μm ≥ 1.0 kg/cm 大功率高速板、汽车电子

供货形式

  • 卷料:幅宽最大 1295 mm
  • 片状:最大尺寸 1295 × 1295 mm

兼容基材

  • 改性环氧树脂 FR-4(Mid-Loss / Low-Loss 级)
  • BT 树脂
  • CE 铜箔积层板

Applications · 主要用途

终端应用领域

广泛服务于电子制造各关键赛道。

网络通信设备

千兆/万兆以太网交换机、工业路由器、中端网络设备

中端服务器

1U/2U 机架式服务器主板、存储控制器板卡

汽车电子

车身控制模块 BCM、信息娱乐系统 IVI 中控板

HDI 高密度互连

6–8 层 HDI 板外层,L/S = 50/50μm 及以下精细线路

工控设备

PLC 可编程逻辑控制器、DCS 分布式控制系统主板

5G 小基站

室内分布系统 DAS、微基站射频前端

Core Advantages · 产品优势

核心产品优势

差异化竞争力构建。

1

经济型高速方案

以约 STD 1.3–1.5 倍的价格获得 Low Loss 级信号性能

2

无铜粉转移

等轴细晶结构消除蚀刻后铜粉残留,提高绝缘可靠性

3

阻抗精确可控

表面平坦使得特性阻抗偏差控制在 ±8% 以内

4

加工良率高

蚀刻速度快且侧蚀均匀,白斑缺陷显著减少

5

热稳定可靠

多次层压后无铜再结晶,适合复杂多层结构

6

广泛的基材兼容

与主流 Mid-Loss 和 Low-Loss 级 FR-4 板材均有良好结合力

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